[发明专利]一种半导体器件及其制备方法、电子装置在审
| 申请号： | 201410276112.X | 申请日： | 2014-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN105185711A | 公开（公告）日： | 2015-12-23 |
| 发明（设计）人： | 曾以志 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件及其制备方法、电子装置。所述方法包括提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有若干鳍片，在所述鳍片的上方与所述鳍片延伸方向相垂直的方向上形成有若干个包括栅极材料层和掩膜层的条状叠层；沉积牺牲材料层，以填充所述条状叠层两侧的空隙；在所述条状叠层的方向上图案化所述牺牲材料层，以形成位于所述叠层两侧的沟槽，所述沟槽完全露出所述条状叠层的侧壁；沉积间隙壁材料层并平坦化至所述牺牲材料层，以填充所述沟槽，在所述条状叠层的侧壁上形成间隙壁；去除所述牺牲材料层，以露出所述间隙壁。本发明的优点在于：(1)通过间隙壁图案化的方法，避免了间隙壁蚀刻和去除的步骤，扩大了工艺窗口。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制备 方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制备方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有若干鳍片，在所述鳍片的上方与所述鳍片延伸方向相垂直的方向上形成有若干个包括栅极材料层和掩膜层的条状叠层；沉积牺牲材料层，以填充所述条状叠层两侧的空隙；在所述条状叠层的方向上图案化所述牺牲材料层，以形成位于所述叠层两侧的沟槽，所述沟槽完全露出所述条状叠层的侧壁；沉积间隙壁材料层并平坦化至所述牺牲材料层，以填充所述沟槽，在所述条状叠层的侧壁上形成间隙壁；去除所述牺牲材料层，以露出所述间隙壁。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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