[发明专利]半导体器件有源区结构的制造方法及用该方法制造的产品有效
| 申请号： | 201410275648.X | 申请日： | 2014-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN105185705B | 公开（公告）日： | 2019-04-26 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;王冬江 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3105 | 分类号： | H01L21/3105;H01L21/02;H01L21/316;H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 张东梅 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件有源区结构的制造方法及用该方法制造的产品。通过该方法，可简化现有工艺，并能够获得良好、可控的应力层。该方法包括：在衬底上依次形成氧化硅层和氮化硅层；刻蚀所述氮化硅层，氧化硅层以及衬底，形成隔离沟槽；在所述隔离沟槽内壁沉积张应力氧化物层，所述张应力氧化物层的厚度小于隔离沟槽的深度；对所述张应力氧化物层进行紫外线辐射处理，以形成张应力增强的氧化物层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 有源 结构 制造 方法 产品 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造半导体器件有源区结构的方法，所述方法包括：在衬底上依次形成氧化硅层和氮化硅层；刻蚀所述氮化硅层，氧化硅层以及衬底，形成隔离沟槽；在所述隔离沟槽内壁和底部沉积张应力氧化物层，所述张应力氧化物层的厚度小于隔离沟槽的深度；对所述张应力氧化物层进行紫外线辐射处理，以形成张应力增强的氧化物层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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