[发明专利]半导体器件的制备方法

摘要

本发明公开了一种半导体器件的制备方法，通过在刻蚀多晶硅层形成多晶硅栅的过程中，保证刻蚀区避开零层对准标识，使得刻蚀形成的多晶硅栅仍将该零层对准标识覆盖，将由于零层对准标识造成的晶片的高度差引入到多晶硅栅中，然后在后续层间介质填充和平坦化过程中消除该高度差，从而通过优选多晶硅层的设计和零层对准标识的深度，简化了传统零层对准工艺中零层对准标识的氧化硅填充、平坦化以及湿法刻蚀等步骤，实现了无浅沟槽隔离的半导体器件制备工艺，工艺过程简单，成本较低。

主权项

1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一半导体衬底；于所述半导体衬底的上表面刻蚀出零层对准标识；所述零层对准标识深度为0.08‑0.12μm；利用所述零层对准标识实现光刻和量测机台对所述半导体衬底的对准，完成多晶硅栅形成之前的离子注入工艺；继续沉积多晶硅层覆盖所述半导体衬底的上表面；部分刻蚀所述多晶硅层至所述半导体衬底的上表面以形成多晶硅栅；其中，所述多晶硅栅覆盖所述零层对准标识的表面。