[发明专利]一种光刻胶侧墙角度的预测及改善方法

摘要

本发明提供一种光刻胶侧墙角度的预测及改善方法，方法包括：在一根据光刻数据版图上，分别获取曝光显影的光刻胶断面的若干个特征尺寸；根据所述特征尺寸建立对应的模型；采用模型对所述光刻数据版图进行光学临近效应修正；采用所述模型对修正后的所述光刻数据版图进行模拟，以获取所述光刻胶的顶部的和底部的特征尺寸模拟值，并计算出所述光刻胶的侧壁和底面之间的夹角；判断所述夹角的角度是否小于一预警值；当所述夹角的角度小于所述预警值时，则调整所述光刻数据版图中此处的光强分布，并重新进行模拟；当所述夹角的角度大于所述预警值时，即完成修正流程。对小于侧墙角度的预警值图形，改善其光强分布，得到更理想的光刻胶侧墙角度模拟值。

主权项

一种光刻胶侧墙角度的预测及改善方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤： 步骤S1：在一根据光刻数据版图制备的硅片上，分别获取光刻胶中部、顶部、底部的特征尺寸测量值和所述光刻胶的高度值选取硅片上曝光显影的光刻胶断面的若干个特征尺寸； 步骤S2：根据每个所述特征尺寸测量值，分别建立第1修正模型、第2修正模型和第3修正模型； 步骤S3：采用第1修正模型对所述光刻数据版图进行光学临近效应修正； 步骤S4：采用所述第2修正模型和所述第3修正模型对修正后的所述光刻数据版图进行模拟，以获取所述光刻胶的顶部的和底部的特征尺寸模拟值，并根据所述光刻胶的高度值和所述特征尺寸模拟值，计算出所述光刻胶的侧壁和底面之间的夹角； 步骤S5：判断所述夹角的角度是否小于一预警值； 当所述夹角的角度小于所述预警值时，则调整所述光刻数据版图中此处的光强分布，并重新进入所述步骤S4； 当所述夹角的角度大于所述预警值时，即完成修正流程。