[发明专利]一种MOCVD设备及其中寄生颗粒的清除方法在审
申请号: | 201410272984.9 | 申请日: | 2014-06-18 |
公开(公告)号: | CN105200396A | 公开(公告)日: | 2015-12-30 |
发明(设计)人: | 泷口治久 | 申请(专利权)人: | 中微半导体设备(上海)有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455 |
代理公司: | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人: | 张静洁;包姝晴 |
地址: | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种MOCVD设备及其中寄生颗粒的清除方法,在反应腔的顶部设置喷淋头,将有机金属气体、氢化物气体、载气和清洗气体分别输送至反应腔内;在喷淋头底面的中间区域,将刚喷出的有机金属气体与氢化物气体隔开;在喷淋头底面的边缘区域,通过输送清洗气体来分解有机金属气体和氢化物气体进行预反应所形成的寄生颗粒。本发明可有效减少寄生颗粒对反应腔内设备的污染,保证薄膜生长质量,提升薄膜生长率。 | ||
搜索关键词: | 一种 mocvd 设备 其中 寄生 颗粒 清除 方法 | ||
【主权项】:
一种MOCVD设备,其特征在于,设有位于反应腔内顶部的喷淋头;从设置在该喷淋头底面的中间区域的进气口,向反应腔内输送互相隔开的有机金属气体和氢化物气体,并输送载气以携带有机金属气体和氢化物气体至位于反应腔内底部的基片表面进行薄膜沉积反应;还从设置在该喷淋头底面的边缘区域的进气口,向反应腔内输送清洗气体,通过清洗气体对有机金属气体和氢化物气体在到达基片之前进行预反应所形成的寄生颗粒进行分解。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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