[发明专利]太阳能电池用基板及其制造方法无效
| 申请号： | 201410272789.6 | 申请日： | 2014-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN104241104A | 公开（公告）日： | 2014-12-24 |
| 发明（设计）人： | 川本裕介;吉野泰 | 申请（专利权）人： | 株式会社则武 |
| 主分类号： | H01L21/22 | 分类号： | H01L21/22;H01L21/225;H01L31/04 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 段承恩;杨光军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种硅基板及其制造方法，能够不使太阳能电池的制造工序复杂化而兼顾抑制电流的损失和增大电压。在从p型硅基板的一面扩散磷来制造太阳能电池用基板时，向氧氯化磷溶液中以1000毫升/分钟以下的少的流量供给氮气而得到掺杂用混合气体。因此，被导入加热炉内的掺杂用混合气体中的氧氯化磷浓度变低，所以在基板表面沉积的PSG层变得比较薄，能够降低基板表面的磷浓度的最大值，所以延长热处理时间并加深扩散深度，能够容易地实现平均浓度为(1.0～4.0)×1020个/cm3、在50nm深度的浓度为(0.10～1.6)×1020个/cm3，薄膜电阻为70～120Ω/□。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 用基板 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种太阳能电池用基板，是在p型硅基板的一面侧通过磷的扩散形成有n层的太阳能电池用基板，其特征在于，所述一面的薄膜电阻在50～120Ω/□的范围内，并且所述n层的磷浓度从所述一面到50nm深度的范围的最大值为8×1020个/cm3以下，并且平均值为1.0×1020个/cm3以上，并且在该50nm深度的值为1.6×1020个/cm3以下。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
