[发明专利]一种高效合成单晶六方氮化硼结构的取代反应方法在审

专利信息
申请号: 201410269988.1 申请日: 2014-06-17
公开(公告)号: CN104233454A 公开(公告)日: 2014-12-24
发明(设计)人: 刘飞;许宁生;邓少芝;陈军 申请(专利权)人: 中山大学
主分类号: C30B1/00 分类号: C30B1/00;C30B29/40
代理公司: 广州新诺专利商标事务所有限公司 44100 代理人: 华辉
地址: 510275 *** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种高效合成单晶六方氮化硼结构的取代反应方法。该方法以氧化硼粉末和碳源材料作为反应原料,在高温电炉中,利用N2和/或NH3作为反应载气,在1100-1800℃的温度下,经过2~8小时的取代反应,合成高产率的单晶六方氮化硼片层结构。该方法所获得的氮化硼结构可以是片层结构、带状结构、管状结构、塔状结构或球状结构等。本制备方法不仅具有简单、产率高(>20%)、产量大和反应速度快的优点,而且还具有产物纯度高、单晶性好及力学性能优越等优点。
搜索关键词: 一种 高效 合成 单晶六方 氮化 结构 取代 反应 方法
【主权项】:
一种高效合成单晶六方氮化硼结构的取代反应方法,其特征在于,以氧化硼粉末和碳源材料作为反应原料,进行高温取代反应,包括以下步骤: (a)原材料的放置:首先将一定量的氧化硼粉末放在坩埚的底端,再按比例将适量的碳源材料均匀覆盖在粉末上层,然后将装有原材料的坩埚传递入反应电炉中; (b)取代反应:首先将反应电炉真空度抽至5‑20Pa,然后通入N2和/或NH3的混合气体,使反应电炉内维持在一定的气压;再在N2和/或NH3的气氛中,将原材料快速升温至生长温度,并保温生长一段时间,即可通过本取代反应合成单晶氮化硼结构。 
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