[发明专利]高吸收率太阳能薄膜有效
| 申请号： | 201410268647.2 | 申请日： | 2014-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN104051553A | 公开（公告）日： | 2014-09-17 |
| 发明（设计）人： | 齐红基;王虎;王斌;王胭脂;易葵 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 主分类号： | H01L31/0352 | 分类号： | H01L31/0352;H01L31/028 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 张泽纯 |
| 地址： | 201800 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种高吸收率太阳能薄膜，包括薄膜衬底和高吸收率太阳能薄膜的多层膜(100)，所述的高吸收率太阳能薄膜包括四种膜层:AlN膜层、Si膜层、HfO2膜层和SiO2膜层共34层。实验表明，本发明高吸收率太阳能薄膜在正入射条件下实现了可见光波段吸收率大于94％，红外波段的发射率小于10％，该薄膜在太阳能电池系统中具有重要的实用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 吸收率 太阳能 薄膜 | ||
【主权项】：
一种高吸收率太阳能薄膜，其特征在于包括薄膜衬底(200)和高吸收率太阳能薄膜的多层膜(100)，所述的高吸收率太阳能薄膜的多层膜(100)包括四种膜层:AlN膜层(3)、Si膜层(2)、HfO2膜层(3)和SiO2膜层(4)共34层，在所述的薄膜衬底(200)上依次的膜系结构为：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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