[发明专利]一种基于掺杂多晶硅的微机械结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201410265759.2 | 申请日： | 2014-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN105271102B | 公开（公告）日： | 2017-02-01 |
| 发明（设计）人： | 万蔡辛;杨少军 | 申请（专利权）人： | 北京卓锐微技术有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/02 | 分类号： | B81B7/02;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司11139 | 代理人： | 孙皓晨,朱世定 |
| 地址： | 100191 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种基于掺杂多晶硅的微机械结构及其制备方法，微机械结构包括基板层、中间层、掺杂多晶硅层和覆盖层，其中，该基板层位于微机械结构下方，由衬底材料构成；该中间层位于基板层和掺杂多晶硅层之间，至少包括一层牺牲层；该掺杂多晶硅层位于中间层的上方，其为机械连接一体但通过线形的低掺杂或不掺杂区域分隔为两个浓掺杂区域，并分别构成两个电极；该覆盖层位于微机械结构的上方，至少包括一层金属层。根据电路连线需要和寄生参数要求，可对掺杂多晶硅层上两个浓掺杂区域构成的两个电极采用灵活的电气连接方式。本发明使微机械结构作为传感器或执行器的灵敏度、线性度等性能指标得到综合力学和电学的全局优化。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 掺杂 多晶 微机 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基于掺杂多晶硅的微机械结构，其特征在于，其包括基板层、中间层、掺杂多晶硅层和覆盖层，其中，所述基板层位于所述微机械结构的下方，由衬底材料构成，其中，定义在所述基板层上制作掺杂多晶硅层的一边为上方，相对的一边为下方；所述中间层位于所述基板层与所述掺杂多晶硅层之间，所述中间层至少包括一层牺牲层；所述掺杂多晶硅层位于所述中间层的上方，所述掺杂多晶硅层为机械连接一体，包括一个线形的低掺杂或不掺杂区域，所述线形的低掺杂或不掺杂区域将所述掺杂多晶硅层分隔为两个相同极性的浓掺杂区域，两个所述相同极性的浓掺杂区域构成两个电极；所述覆盖层位于所述的微机械结构的上部，其至少包括一层金属层。
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