[发明专利]一种发光二极管外延片及其制造方法

摘要

本发明公开了一种发光二极管外延片及其制造方法，属于发光二极管领域。所述外延片包括缓冲层、3D生长层、2D填平层、N型层、多量子阱和P型层，所述2D填平层包括若干个交替生长的第一子层和第二子层，其中一个所述第一子层与所述3D生长层直接接触，所述第一子层的数量不小于2且与所述第二子层的数量相同，所述第一子层采用无掺杂的AlxGa1‑xN制成，所述第二子层采用无掺杂的GaN制成，0.5≤x＜1。所述方法包括提供衬底并在衬底上依次生长缓冲层、3D生长层、2D填平层、N型层、多量子阱层和P型层，生长2D填平层包括交替生长若干个第一子层和若干个第二子层。本发明有效减小由衬底与GaN晶格失配引起的位错密度，从而提高LED的内量子效率和抗静电能力。

主权项

一种发光二极管外延片，包括衬底、缓冲层、3D生长层、2D填平层、N型层、多量子阱和P型层，其特征在于，所述2D填平层包括若干个交替生长的第一子层和第二子层，其中一个所述第一子层与所述3D生长层直接接触，所述第一子层的数量不小于2且与所述第二子层的数量相同，所述第一子层采用无掺杂的AlxGa1‑xN制成，所述第二子层采用无掺杂的GaN制成，0.5≤x＜1；每个所述第一子层的Al浓度不同、且每个所述第一子层的Al浓度按生长顺序逐渐减小，所述第一子层的数量为15，每个所述第一子层的Al浓度依次为80％、78％、76％、74％、72％、70％、68％、66％、64％、62％、60％、58％、56％、54％、52％；所述第一子层与所述第二子层的厚度比例不大于1:3。