[发明专利]基于液相外延技术制备高氮组分的铟砷氮薄膜的方法有效
| 申请号： | 201410258936.4 | 申请日： | 2014-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN104032375A | 公开（公告）日： | 2014-09-10 |
| 发明（设计）人： | 吕英飞;胡淑红;王洋;孙常鸿;邱锋;俞国林;戴宁 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海技术物理研究所 |
| 主分类号： | C30B29/38 | 分类号： | C30B29/38;C30B19/00 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 郭英 |
| 地址： | 200083 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于液相外延技术制备高氮组分的铟砷氮薄膜的方法。该方法将熔源过程分为两次，第一次熔源将熔源材料In和InAs高温长时间充分熔融得到初始熔源，第二次熔源时加入InN粉末，通过优化InN粉末的放置方式，既增加了InN粉末在初始熔源中的溶解量及其分布的均匀性，又有效地缩短了第二次高温熔源时间，减小了氮元素的挥发量，最终获得了含氮量为0.66％的InAs1-xNx薄膜材料。该发明的优点是制备工艺简单，工艺成本低，得到的样品氮元素含量高，晶体缺陷少，晶体质量高。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 外延 技术 制备 组分 铟砷氮 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
一种基于液相外延技术制备高氮组分的铟砷氮薄膜的方法，其特征在于：它包括以下步骤：首先，第一次高温熔源将纯度为7N的In和InAs单晶片在650℃熔融3h，得到混合均匀的初始熔源材料；接着第二次高温熔源，将纯度为99.8％的InN粉末总质量的1/3均匀地放置在初始熔源底部，剩余的InN粉末均匀地放置在初始熔源顶部，熔源材料在630℃下熔融1小时，得到生长熔源；然后，以1℃/min的降温速率使温度降至生长温度600℃，恒温15分钟，在温度开始以0.3℃/min开始降温时推动滑舟使熔源与InAs衬底接触，进行铟砷氮InAs1‑xNx外延层材料的生长。
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