[发明专利]一种制备氮化铝纳米管阵列的方法无效
| 申请号： | 201410258247.3 | 申请日： | 2014-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN104016315A | 公开（公告）日： | 2014-09-03 |
| 发明（设计）人： | 吴志国;季旭;胡海蓉;张伟博;闫鹏勋 | 申请（专利权）人： | 兰州大学 |
| 主分类号： | C01B21/072 | 分类号： | C01B21/072;B82Y40/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 北京中恒高博知识产权代理有限公司 11249 | 代理人： | 陆菊华 |
| 地址： | 730000 甘肃*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： | 本发明公开一种制备氮化铝纳米管阵列的方法，该方法包括如下步骤，(1)抽真空；(2)氨气以及氯化铝于150～200℃蒸发产生的蒸气在载气的作用下混合流过温度为750～850℃的生长衬底表面，混合流过40-60min后，即在生长衬底上得到氮化铝纳米管阵列。与现有气相沉积法生长氮化铝纳米管相比，本发明所述方法的生长温度更低，且无需使用催化剂，在常用的生长衬底均可生长得到氮化铝纳米管阵列。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 氮化 纳米 阵列 方法 | ||
【主权项】：
一种制备氮化铝纳米管阵列的方法，包括如下步骤，(1)抽真空； (2)氨气以及氯化铝于150～200℃蒸发产生的蒸气在载气的作用下混合流过温度为750～850℃的生长衬底表面，混合流过40‑60min后，即在生长衬底上得到氮化铝纳米管阵列。
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