[发明专利]生长在Si衬底上的AlGaN薄膜及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 201410255449.2 | 申请日： | 2014-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN104037282B | 公开（公告）日： | 2017-03-08 |
| 发明（设计）人： | 李国强 | 申请（专利权）人： | 广州市众拓光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/12;C30B25/22;C30B29/40 |
| 代理公司： | 广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙)44288 | 代理人： | 汤喜友 |
| 地址： | 510000 广东省广州市广州*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了生长在Si衬底上的AlGaN薄膜，其包括Si衬底和在Si衬底上外延生长的AlGaN薄膜；所述Si衬底的晶体取向为111面偏100方向0.5‑1°；经过采用脉冲激光沉积工艺生长AlGaN薄膜、采用金属有机化学气相沉积工艺生长Al原子层、对Al原子层进行氮化处理、衬底以及其晶向的选取等步骤制备而成。所述AlGaN薄膜应用于光电探测器或LED器件中。本发明解决Si衬底上GaN薄膜的裂纹问题的同时提高AlGaN薄膜的质量、纯度和界面性能，并降低工艺成本。 | ||
| 搜索关键词： | 生长 si 衬底 algan 薄膜 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
生长在Si衬底上的AlGaN薄膜，其特征在于：其包括Si衬底和在Si衬底上外延生长的AlGaN薄膜；所述Si衬底的晶体取向为111面偏100方向0.5‑1°；所述生长在Si衬底上的AlGaN薄膜的制备方法，其顺次包括以下步骤：1)衬底以及其晶向的选取：采用Si衬底，选取111面偏100方向0.5‑1°的晶体取向；2)采用金属有机化学气相沉积工艺生长Al原子层；3)对Al原子层进行氮化处理；4)采用脉冲激光沉积工艺生长AlGaN薄膜。
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