[发明专利]隧道磁电阻效应存储装置及其制备方法、存储器在审
| 申请号： | 201410255252.9 | 申请日： | 2014-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN105469821A | 公开（公告）日： | 2016-04-06 |
| 发明（设计）人： | 林殷茵;杨凯;张树杰;赵俊峰;杨伟;傅雅蓉 | 申请（专利权）人： | 华为技术有限公司;复旦大学 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16;H01L27/22;H01L21/82 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 罗振安 |
| 地址： | 518129 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了隧道磁电阻效应存储装置，包括依次层叠的第一磁头单元、磁化方向可变的轨道自由层和第二磁头单元；第一磁头单元包括依次层叠的第一电极层、磁化方向固定的第一固定层和第一绝缘层；第二磁头单元包括第二电极层；轨道自由层设于第一绝缘层和第二电极层之间，且轨道自由层呈U型，轨道自由层包括多个依次排列的磁畴和位于相邻的两个磁畴之间的磁畴壁；第一磁头单元收容于轨道自由层的U型腔内，或第二磁头单元收容于轨道自由层的U型腔内；第一电极层和第二电极层分别对应连接于外界电压的两端。该存储装置采用三维U型轨道自由层，增加了存储容量，简化了外围电路结构，降低了生产成本和工艺难度。还公开了制备方法，和存储器。 | ||
| 搜索关键词： | 隧道 磁电 效应 存储 装置 及其 制备 方法 存储器 | ||
【主权项】：
一种隧道磁电阻效应存储装置，其特征在于，所述隧道磁电阻效应存储装置包括依次层叠的第一磁头单元、磁化方向可变的轨道自由层和第二磁头单元；所述第一磁头单元包括依次层叠的第一电极层、磁化方向固定的第一固定层和第一绝缘层；所述第二磁头单元包括第二电极层；所述轨道自由层设于所述第一绝缘层和所述第二电极层之间，且所述轨道自由层呈U型，所述轨道自由层包括多个依次排列的磁畴和位于相邻的两个所述磁畴之间的磁畴壁；所述第一磁头单元收容于所述轨道自由层的U型腔内，或所述第二磁头单元收容于所述轨道自由层的U型腔内；所述第一电极层和所述第二电极层分别对应连接于外界电压的两端。
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