[发明专利]多层存储器阵列及其制作方法

摘要

本发明公开了一种多层存储器阵列及其制作方法，该存储器阵列包括：沿着第一方向延伸的多个脊状多层叠层以及形成于多个脊状多层叠层顶部的硬掩模层。此硬掩模层包括：分别垂直地对准多个脊状多层叠层的多个条带，分别沿着与第一方向直交的第二方向连结相邻的条带的多个连接桥以及位于多个连接桥与多个条带之间的多个硬掩模通孔。

主权项

1.一种存储器阵列的制作方法，包括：于一基材的一表面上形成一多层叠层(multi-layer stack)；形成多个第一通孔，沿着该多层叠层的一垂直方向，由该多层叠层的一顶部表面到该基材的该表面，贯穿该多层叠层，这些第一通孔以等距的方式沿着该基材的该表面的一第一方向配置成行(row)，并且以等距的方式沿着与该第一方向直交(orthogonal)的一第二方向配置成列(column)；形成多个牺牲柱状体填充这些第一通孔；在具有这些牺牲柱状体的该多层叠层上形成一硬掩模层，该硬掩模层具有多个硬掩模通孔，可将该多层叠层位于每一列这些牺牲柱状体中相邻的牺牲柱状体之间的多个区域暴露于外；形成多个第二通孔，沿着该多层叠层的该垂直方向，由该多层叠层的该顶部表面到该基材的该表面，贯穿该多层叠层，这些第二通孔垂直地对准这些硬掩模通孔；以及移除填充于这些第一通孔中的这些牺牲柱状体；其中这些第二通孔连接该第一通孔而形成沿着该第二方向延伸的多个沟道；且这些沟道将该多层叠层区隔成沿着该第二方向延伸的多个脊状叠层(ridged-shaped stacks)。