[发明专利]一种磷硅镉单晶的水平生长装置及生长方法

摘要

本发明公开了一种磷硅镉单晶的水平生长装置及生长方法，属于磷硅镉单晶制备技术领域。所述装置包括外层石英管、套装在外层石英管内的内层石英管和套装在内层石英管内的PBN舟状坩埚。PBN舟状坩埚包括顺次连接的晶核生长段、过渡段和单晶生长段，通过将晶核生长段的第一端部设置成尖顶状，提高自发成核时晶向的均一性。通过双层石英管设计，使石英管间充入惰性气体，解决晶体生长过程中极易出现的爆管问题，提高温场稳定性及生长装置耐久性。所述方法通过利用水平梯度凝固法在放置有上述生长装置的水平晶体生长炉制备磷硅镉单晶，使结晶过程更加稳定，减少寄生成核的缺陷，利于得到单晶性好，晶格完整的CSP单晶。该方法操作简单，易控制，成本低。

主权项

一种磷硅镉单晶的水平生长装置，包括：外层石英管、内层石英管和热解氮化硼舟状坩埚，所述热解氮化硼舟状坩埚套装在所述内层石英管内，所述热解氮化硼舟状坩埚的外壁与所述内层石英管的内壁之间具有空隙，所述内层石英管套装在所述外层石英管内，所述内层石英管的外壁与所述外层石英管的内壁之间具有空隙，用于充填惰性气体；所述热解氮化硼舟状坩埚包括：顺次连接的晶核生长段、过渡段和单晶生长段，所述晶核生长段的长度和宽度均小于所述单晶生长段的长度和宽度，所述晶核生长段的第二端部通过所述过渡段与所述单晶生长段连接；所述晶核生长段的第一端部呈楔形，并且所述晶核生长段的第一端部的楔形角为10°‑150°。