[发明专利]通孔链结构的失效分析方法有效
| 申请号： | 201410253207.X | 申请日： | 2014-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN104037107B | 公开（公告）日： | 2017-01-04 |
| 发明（设计）人： | 陈强 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明一种通孔链结构的失效分析方法，包括：提供待分析样品，所述待分析样品中具有通孔链结构，所述通孔链包括半导体衬底、金属线和位于半导体衬底与金属线之间的接触电极，所述半导体衬底与接触电极之间电连接良好；对所述样品进行切割，使得切割后的样品的一个侧面与通孔链接的一侧的距离为1‑10微米；对切割后的样品进行平面研磨至露出金属线的表面；在样品表面沉积金属层，所述金属层覆盖金属线的表面；将金属层接地；将样品放入聚焦电子束，利用沿平行于半导体衬底的厚度的方向对样品进行垂直切割，将位于接触电极下方的半导体衬底去除，露出接触电极的底部；从接触电极的底部对接触电极和金属线进行电压衬度失效定位分析。 | ||
| 搜索关键词： | 链结 失效 分析 方法 | ||
【主权项】：
一种通孔链结构的失效分析方法，其特征在于，包括：提供待分析样品，所述待分析样品中具有通孔链结构，所述通孔链包括半导体衬底、金属线和位于半导体衬底与金属线之间的接触电极，所述半导体衬底与接触电极之间电连接良好；对所述样品进行切割，使得切割后的样品的一个侧面与通孔链的一侧的距离为1‑10微米；对切割后的样品进行平面研磨至露出金属线的表面；在样品表面沉积金属层，所述金属层覆盖金属线的表面；将金属层接地；将样品放入聚焦电子束，利用沿平行于半导体衬底的厚度的方向对样品进行切割，将位于接触电极下方的半导体衬底去除，露出接触电极的底部；从接触电极的底部对接触电极和金属线进行电压衬度失效定位分析。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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