[发明专利]一种猕猴桃的增殖继代培养方法有效

专利信息
申请号: 201410250424.3 申请日: 2014-06-09
公开(公告)号: CN104012410A 公开(公告)日: 2014-09-03
发明(设计)人: 赵兰 申请(专利权)人: 赵兰
主分类号: A01H4/00 分类号: A01H4/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 325200 浙江省温*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种猕猴桃的增殖继代培养方法,包括以下步骤:(1)选材;(2)茎段消毒及芽启动萌发培养;(3)无菌试管苗增殖培养;(4)生根培养;(5)炼苗移栽。本发明所述的猕猴桃的增殖继代培养方法通过改良基本培养基及成分,同时辅助合理的培养方法,使得猕猴桃的外植体繁殖速度快、繁殖周期短且繁殖率高、成活率高、不易感染真菌性病害、良种化程度高,以使得最终培育得到的猕猴桃的果实质量及营养价值高,口感好,有利于猕猴桃的大力发展和推广应用。
搜索关键词: 一种 猕猴桃 增殖 培养 方法
【主权项】:
一种猕猴桃的增殖继代培养方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)选材:选取生长健壮的基生枝用清水冲洗2‑3h,然后用5%的多菌灵喷洒选取的枝条,用滤纸吸干茎段表面水分后备用;(2)茎段消毒及芽启动萌发培养:将步骤(1)处理过的茎段置于超净工作台上,用75%的酒精消毒10‑15s,然后用无菌水清洗3‑5次,然后用0.1%的升汞灭菌浸泡5‑8min,最后用无菌水冲洗3‑5次后,用滤纸吸干水分,剪取1‑2cm带一个饱满芽的茎段,然后,将茎段的基部插入芽启动培养基上,每瓶接种3‑5外植体,诱导顶芽和腋芽萌发,在温度为20‑22℃,光照强度1500—2000 lx,光照时间14 h/d的条件下,进行15‑20d的培养,茎段腋芽开始萌动,茎尖伸长,40‑50d后形成无菌试管苗;(3)无菌试管苗增殖培养:将步骤(2)所述的无菌试管苗切成1‑2个腋芽的茎段接种在试管苗增殖继代培养基上,每隔2‑3周继代一次,获得大量无菌试管苗;(4)生根培养:将外植体大量增殖后的无菌试管苗转移到生根培养基中诱导生根,培养25‑30d,至根长至2.0cm以上时,进行炼苗移栽;(5)炼苗移栽:将步骤(4)得到的试管苗首先在培养室适应1d,然后在温室条件下,清水洗涤3‑5次后移栽到装有混合育苗基质的穴盘中,保持空气相对湿度在80%以上,然后驯化炼苗10‑15d后移栽进行常规管理。
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