[发明专利]一种高温高能离子注入机离子光学系统在审
| 申请号： | 201410243508.4 | 申请日： | 2014-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN104051211A | 公开（公告）日： | 2014-09-17 |
| 发明（设计）人： | 孙雪平;张赛;易文杰;彭立波 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十八研究所 |
| 主分类号： | H01J37/317 | 分类号： | H01J37/317;H01J37/05 |
| 代理公司： | 长沙正奇专利事务所有限责任公司 43113 | 代理人： | 马强 |
| 地址： | 410111 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高温高能离子注入机离子光学系统，包括离子源，所述离子源产生的离子通过引出系统后形成离子束，所述离子束依次通过质量分析器和分析光栏，所述分析光栏分析提纯后的离子束经过一对垂直扫描电极板，所述垂直扫描电极板将经分析提纯后的离子束扫描成扇形状束带，所述扇形状束带通过30°平行束透镜后形成平行的带状束，所述平行的带状束通过加速管加速后，经高温靶盘注入晶片。本发明能保证注入离子种类和能量精度，满足注入工艺需要晶片加热的要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高温 高能 离子 注入 光学系统 | ||
【主权项】：
一种高温高能离子注入机离子光学系统，包括离子源（1），其特征在于，所述离子源（1）发出的离子的传递光路上依次设置有引出系统（2）、质量分析器（5）、分析光栏（4）、一对垂直扫描电极板（5）、30°平行束透镜（6）、加速管（7）和高温靶盘（8）；所述离子源（1）产生的离子通过引出系统（2）后形成离子束，所述离子束依次通过质量分析器（3）和分析光栏（4），所述分析光栏（4）分析提纯后的离子束经过一对垂直扫描电极板（5），所述垂直扫描电极板（5）将经分析提纯后的离子束扫描成扇形状束带，所述扇形状束带通过30°平行束透镜（6）后形成平行的带状束，所述平行的带状束通过加速管（7）加速后，经高温靶盘（8）注入晶片。
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