[发明专利]一种高温度稳定型陶瓷电容器用介质材料及其制备方法与应用在审
| 申请号： | 201410243134.6 | 申请日： | 2014-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN105294101A | 公开（公告）日： | 2016-02-03 |
| 发明（设计）人： | 孙安红;常宝菊 | 申请（专利权）人： | 上海帛汉新材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/49 | 分类号： | C04B35/49;C04B35/622 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201100 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高温度稳定型陶瓷电容器用介质材料及其制备方法与应用，其包括按重量百分数计的如下组分：BaTiO3：30～60％；NaTiO3：5～35％；PbTiO3：2～25％；CaZrO3：1～20％；Bi2O3·nTiO2：1～30％；MgO：1～30％；MnCO3：0.01～1％；其中，n＝1～7。其制备方法为：分别合成BaTiO3、NaTiO3、PbTiO3、CaZrO3、Bi2O3·nTiO2各粉料；将上步合成的BaTiO3、NaTiO3、PbTiO3、CaZrO3、Bi2O3·nTiO2各粉料制备成基础料；在上步合成的基础料中加入MgO和MnCO3，进行合成，再经过湿法球磨、出料、浆料沉降、浆料配制、离心造粒、除铁工艺流程，得到陶瓷电容器介质瓷料。该发明材料温度变化率Δε/ε25≤|±5％|(-25℃～85℃)；介电常数ε25≥1200；损耗角正切值tgδ≤1％；击穿电压VBDC≥10KV/mm。可用于对温度稳定性要求严格的高压电容器及相关元器件的制造。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 温度 稳定 陶瓷 电容 器用 介质 材料 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
一种高温度稳定型陶瓷电容器用介质材料，其特征在于，所述介质材料的包括按重量百分比计的如下组分：BaTiO3：30～60％；NaTiO3：5～35％；PbTiO3：2～25％；CaZrO3：1～20％；Bi2O3·nTiO2：1～30％；MgO：1～30％；MnO：0.01～1％；其中，n＝1～7。
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