[发明专利]一种去除MEMS焊垫上残留物的方法有效
| 申请号： | 201410242664.9 | 申请日： | 2014-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN105217564B | 公开（公告）日： | 2017-02-15 |
| 发明（设计）人： | 金滕滕;杨勇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种去除MEMS器件焊垫上残留物的方法，包括步骤首先，提供一经过刻蚀工艺之后暴露出焊垫的MEMS器件，所述焊垫上由于刻蚀工艺残留有残留物；然后，将所述MEMS器件放置于反应腔中，并通入SiH4和N2O气体至所述反应腔，使所述气体等离子化发生反应，在所述焊垫表面生成中间产物SiOx薄膜层；所述残留物与该SiOX薄膜层反应生成离子团簇基团而去除。本发明通过SiH4和N2O气体反应生成SiOx薄膜层，该薄膜层与残留物进一步反应生成离子团簇基团而被去除，利用该方法可以彻底去除残留物，同时保持焊垫表面光滑平整，满足MEMS器件制造的工艺要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 去除 mems 焊垫上 残留物 方法 | ||
【主权项】：
一种去除MEMS焊垫上残留物的方法，其特征在于，所述去除MEMS焊垫上残留物的方法至少包括步骤：1)提供一经过刻蚀工艺之后暴露出焊垫的MEMS器件，所述焊垫上由于刻蚀工艺残留有残留物；所述残留物的成分包括SiGe、氧化材料、介质材料、光刻胶材料以及刻蚀工艺引进的F‑和Cl‑；2)将所述MEMS器件放置于反应腔中，并通入SiH4和N2O气体至所述反应腔，使所述气体等离子化发生反应，在所述焊垫表面生成中间产物SiOx薄膜层；所述残留物与该SiOX薄膜层反应生成离子团簇基团而被去除。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410242664.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于检验布料上是否具有瑕疵的验布机构
- 下一篇：一种假人足部标定辅助装置
