[发明专利]在积层电路板上直接磊晶生长多色LED的方法及应用

摘要

本发明涉及一种在积层电路板上直接磊晶生长多色发光二极管LED的方法，其特征在于，所述积层电路板的上表面具有在积层电路板的金属焊盘电极上淀积的晶格适配层，所述方法包括在所述积层电路板上表面的第一区域物理气相沉积无机绝缘层；在未被所述无机绝缘层覆盖的除第一区域外的第二区域上生长单色LED；刻蚀第一区域的无机绝缘层；在所述积层电路板上表面的第二区域物理气相沉积无机绝缘层；在未被所述无机绝缘层覆盖的除第二区域外的第一区域上生长单色LED；刻蚀第二区域的无机绝缘层；其中所述第一区域内包括一部分晶格适配层，所述第二区域内包括另一部分晶格适配层。

主权项

一种在积层电路板上直接磊晶生长多色发光二极管LED的方法，其特征在于，所述积层电路板的上表面具有在积层电路板的金属焊盘电极上沉积的晶格适配层，所述方法包括：在所述积层电路板上表面的第一区域物理气相沉积无机绝缘层；在未被所述无机绝缘层覆盖的除第一区域外的第二区域上生长单色LED；刻蚀第一区域的无机绝缘层；在所述积层电路板上表面的第二区域物理气相沉积无机绝缘层；在未被所述无机绝缘层覆盖的除第二区域外的第一区域上生长单色LED；刻蚀第二区域的无机绝缘层；其中所述第一区域内包括一部分晶格适配层，所述第二区域内包括另一部分晶格适配层；其中，所述积层电路板为无机积层电路板；其中，所述生长单色LED的步骤包括：对所述积层电路板的上表面进行研磨和清洗；对所述积层电路板的上表面进行离子注入，以使所述晶格适配层具有导电性能；对所述积层电路板的上表面进行研磨，用以去除离子注入造成的损伤层；对所述积层电路板的上表面进行感应耦合等离子体ICP刻蚀，粗化所述积层电路板的上表面，用以形成凸起的球状岛，增加晶格生长的扣合力；金属有机化学气相淀积MOCVD生长N型LED材料层并进行图形化刻蚀；所述图形化刻蚀后保留的N型LED材料层位于第一晶格适配层之上；对所述积层电路板的上表面进行ICP刻蚀，粗化所述积层电路板的上表面，用以形成凸起的球状岛，增加晶格生长的扣合力；MOCVD生长P型LED材料层；台面MESA光刻和刻蚀，在所述P型LED材料层上形成隔离槽，以使所述N型LED材料层和P型LED材料层构成多个独立PN结结构；其中，所述刻蚀后保留的P型LED材料层位于N型LED材料层和第二晶格适配层之上。