[发明专利]一种脉冲激光沉积与分子束外延联用镀膜设备及其应用有效
申请号: | 201410239937.4 | 申请日: | 2014-05-30 |
公开(公告)号: | CN103996605B | 公开(公告)日: | 2016-10-19 |
发明(设计)人: | 李国强 | 申请(专利权)人: | 广州市众拓光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/20 | 分类号: | H01L21/20;H01L21/203;H01L33/00 |
代理公司: | 广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) 44288 | 代理人: | 汤喜友 |
地址: | 510000 广东省广州市广州*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种脉冲激光沉积与分子束外延联用镀膜设备及其应用。本发明通过在MBE蒸发源的中间区域增加可以公转和自转的靶材托盘,放置PLD镀膜所需的靶材;增加一台高性能的固体激光器,同时在MBE生长室腔体的恰当位置增加一个石英窗口,引入波长为150‑355nm的高能激光蒸镀靶材。它是PLD和MBE的结合体,同时具有PLD和MBE的功能和优点;它既可以当做PLD或者MBE单独使用,也可以实现PLD和MBE的联用;可用于薄膜的外延生长和薄膜器件的制造,特别是量子阱结构太阳能电池、LED、LD。与现有技术相比,本发明具有生长工艺简单,制备成本低廉,应用范围广的优点。 | ||
搜索关键词: | 一种 脉冲 激光 沉积 分子 外延 联用 镀膜 设备 及其 应用 | ||
【主权项】:
一种脉冲激光沉积与分子束外延联用镀膜设备,其包括生长室腔体;其特征在于:在生长室腔体下方的中心位置设有一个基座,在基座上设有1‑6个均匀布置的用于放置靶材的转盘,所述基座及转盘分别由驱动机构带动旋转,使得靶材即能随基座公转又能随转盘自转;在生长室腔体的下侧壁上还设有若干个均匀分布的MBE蒸发源;在生长室腔体的下侧壁或底壁上还设有分别与机械泵和分子泵连接的阀门,以便机械泵和分子泵对生长室抽真空;在生长室腔体的中下方的位置设有辅助气体管道及RF附件,用于在镀膜过程中及时补充O或N的等离子体;在生长室腔体的中上方的位置设有反射高能电子衍射仪,用于实时监控薄膜的生长;在生长室腔体的上侧壁或顶壁上设有一个石英窗口,在生长室腔体旁边对应石英窗口的位置设有高能固体激光器,由高能固体激光器提供150‑355nm的高能激光透过石英窗口照射入生长室腔体的内部;在生长室腔体上方的中央位置安装有激光测距仪、步进电机以及安装于步进电机的输出轴上的用于固定衬底的衬底架,在衬底架上还设有红外线加热器;激光测距仪的信号输出端与步进电机的信号输入端连接,由激光测距仪检测靶材和衬底之间的距离,步进电机的控制器依据激光测距仪测得的距离,驱动步进电机带动衬底架移动,从而调节靶材和衬底之间的距离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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