[发明专利]一种利用TiO2纳米管阵列薄膜提高LED亮度的方法有效
| 申请号： | 201410239894.X | 申请日： | 2014-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN103996757A | 公开（公告）日： | 2014-08-20 |
| 发明（设计）人： | 商毅博;付刚;缪炳有 | 申请（专利权）人： | 西安神光皓瑞光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人： | 倪金荣 |
| 地址： | 710100 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种利用TiO2纳米管阵列薄膜提高LED亮度的方法，包括以下步骤：1)将纯钛片制成圆片，依次用丙酮、去离子水清洗钛片；2)以氟化铵水溶液为电解液，碳棒为阴极，制备TiO2纳米管阵列薄膜；3)将制备好的TiO2纳米管阵列薄膜与钛衬底一起放入MOCVD中生长GaN；4)用键合技术将制备完电极的GaN晶片键合到导电导热的材料上；5)将键合后的GaN晶片放入超声中振荡，剥离钛衬底，完成倒装，本发明有效结合横向生长外延技术和倒装结构芯片技术，以达到提高GaN基LED电光转换效率的目的。并实现了衬底的重复使用，节约生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 tio sub 纳米 阵列 薄膜 提高 led 亮度 方法 | ||
【主权项】：
一种利用TiO2纳米管阵列薄膜提高LED亮度的方法，其特征在于：所述方法包括以下步骤：1)将纯钛片制成圆片，依次用丙酮、去离子水清洗钛片；2)以氟化铵水溶液为电解液，碳棒为阴极，制备TiO2纳米管阵列薄膜；3)将制备好的TiO2纳米管阵列薄膜与钛衬底一起放入MOCVD中生长GaN；4)用键合技术将制备完电极的GaN晶片键合到导电导热的材料上；5)将键合后的GaN晶片放入超声中振荡，剥离钛衬底，完成倒装；
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