[发明专利]鳍式场效应晶体管的形成方法有效
| 申请号： | 201410239067.0 | 申请日： | 2014-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN105140123B | 公开（公告）日： | 2018-03-06 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;张城龙 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 高静,骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种鳍式场效应晶体管的形成方法，包括提供衬底；在所述衬底上形成鳍部；在衬底上形成伪栅结构，伪栅结构横跨至少一个所述鳍部，并覆盖所述鳍部的侧壁与顶部；在伪栅结构两侧的鳍部分别形成源区和漏区；在衬底上形成覆盖鳍部且与伪栅结构齐平的层间介质层；去除所述伪栅结构，形成露出部分鳍部的开口；进行第一退火，在第一退火的过程中通入惰性气体；第一退火之后，在所述开口露出的鳍部和衬底上覆盖栅极介质层；进行第二退火，在第二退火的过程中通入惰性气体。第一退火、第二退火在惰性气体中进行，能够减少栅极介质层与鳍部的沟道区界面处的固定电荷，进而提高鳍部的沟道区的空穴迁移率，可以优化鳍式场效应晶体管的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上形成鳍部；在所述衬底上形成伪栅结构，所述伪栅结构横跨至少一个所述鳍部，并覆盖所述鳍部的侧壁与顶部；在所述伪栅结构两侧的鳍部中形成源区和漏区；在衬底上形成覆盖鳍部且与伪栅结构齐平的层间介质层；去除所述伪栅结构，形成露出部分鳍部的开口；进行第一退火，在第一退火的过程中通入惰性气体；第一退火之后，在所述开口露出的鳍部和衬底上覆盖栅极介质层；进行第二退火，在第二退火的过程中通入惰性气体；第二退火之后，向所述开口中填充金属，以形成金属栅极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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