[发明专利]一种全透型薄膜压控变容管及其制备方法

摘要

本发明公开了一种全透型薄膜压控变容管及其制备方法，在玻璃衬底(1)上依次设置有ITO薄膜(2)、BST薄膜(3)和ITO电极(4)；所述ITO薄膜(2)的化学式为SnxIn1-xO，其中0.02<x<0.04；所述BST薄膜(3)的化学式为BaxSr1-xTiO3，其中x＝0.3～0.7。采用磁控溅射沉积法，在玻璃衬底上沉积底电极ITO薄膜层、中间BaxSr1-xTiO3可调介质层(BST薄膜)和顶电极ITO层。本发明压控变容管的透过率≥70％；调谐率≥40％(100KHz)，且器件稳定性好，为透明通讯和显示设备的开发和应用提供了优良的电子元器件基础。

主权项

一种全透型薄膜压控变容管，包括导电玻璃衬底和电极，其特征在于，在玻璃衬底(1)的上面依次设置有ITO薄膜(2)、BST薄膜(3)和ITO电极(4)；所述ITO薄膜(2)即掺锡氧化铟薄膜，化学式为SnxIn1‑xO，其中0.02<x<0.04；所述BST薄膜(3)即钛酸锶钡基薄膜，化学式为BaxSr1‑xTiO3，其中x＝0.3～0.7；该全透型薄膜压控变容管的制备方法，具有如下步骤：(1)采用固相烧结法制备BaxSr1‑xTiO3靶材及ITO靶材；按BaxSr1‑xTiO3，其中x＝0.3～0.7对应元素的化学计量比称取BaCO3、SrCO3和TiO2，经充分混合后，压制成型，再置于箱式电炉中逐步升温至1150℃，并保温10小时，制得BaxSr1‑xTiO3靶材；按SnxIn1‑xO，其中0.02<x<0.04对应元素的化学计量比称取SnO2和In2O3，经充分混合后，压制成型，再置于箱式电炉中逐步升温至1150℃，并保温10小时，制得ITO靶材；(2)将清洁干燥的衬底放入磁控溅射样品台上；(3)将磁控溅射系统的本底真空抽至P＝1.0×10‑6～7.0×10‑6Torr，然后加热衬底至400～500℃；(4)在步骤(3)系统中，使用Ar和O2作为溅射气体，溅射功率为50～200W，进行沉积得到厚度为150～600nm的ITO导电薄膜电极；(5)步骤(4)停止后，使用Ar和O2作为溅射气体，溅射功率为50～200W，进行沉积得到厚度为150～400nm的BaxSr1‑xTiO3薄膜；(6)步骤(5)停止后，待衬底温度降至100℃以下时，取出制品，在氧气气氛炉中进行后退火处理；(7)在步骤(5)退火处理后的BaxSr1‑xTiO3薄膜上面，利用掩膜版，采用磁控溅射法制备厚度为100～600nm的ITO透明电极，制得全透型BaxSr1‑xTiO3薄膜压控变容管。