[发明专利]一种制备高纯钴的方法在审
| 申请号： | 201410231018.2 | 申请日： | 2014-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN105274563A | 公开（公告）日： | 2016-01-27 |
| 发明（设计）人： | 蔡振平;陈松;郎书玲;吴延科;薛红霞 | 申请（专利权）人： | 北京有色金属研究总院 |
| 主分类号： | C25C1/08 | 分类号： | C25C1/08;C25C7/00;C22B23/06 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 刘徐红 |
| 地址： | 100088 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种制备高纯钴的方法，包括如下步骤：钴溶液的萃取分离、净化：将P507采用皂化的方式制备得到P507有机萃取剂，然后加入氯化钴溶液，用搅拌萃取的方法进行萃取分离；然后进行酸液洗涤、酸液反萃；反萃后的溶液用大孔吸附树脂进行深度净化处理而后再浓缩得到高纯钴溶液；电解沉积：高纯钴溶液由电解槽底部自下而上通过挡流板进入自加热式电解槽，进行单循环电解沉积；电解槽中溶液的浓度、溶液量及pH值保持一致，电积得到高纯电积钴；真空熔炼：高纯电极钴通过真空熔炼制备得到高纯钴锭。本发明产品纯度大于5N，并且成功解决了电解液浓度差带来的杂质富集问题，降低了成本，防止了电解液的交叉污染。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 高纯 方法 | ||
【主权项】：
一种制备高纯钴的方法，包括如下步骤：(1)钴溶液的萃取分离、净化：将P507采用皂化的方式制备得到P507有机萃取剂，然后加入氯化钴溶液，用搅拌萃取的方法进行萃取分离；然后进行酸液洗涤、酸液反萃；反萃后的溶液用大孔吸附树脂进行深度净化处理而后再浓缩得到高纯钴溶液；(2)电解沉积：高纯钴溶液由电解槽底部自下而上通过挡流板进入自加热式电解槽，进行单循环电解沉积；电解槽中溶液的浓度、溶液量及pH值保持一致，电积得到高纯电积钴；(3)真空熔炼：高纯电极钴通过真空熔炼制备得到高纯钴锭。
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