[发明专利]一种铌酸锂晶体外调制驱动装置有效

专利信息
申请号: 201410230905.8 申请日: 2014-05-29
公开(公告)号: CN104038282A 公开(公告)日: 2014-09-10
发明(设计)人: 李智;冯国英;张飞正 申请(专利权)人: 四川大学
主分类号: H04B10/11 分类号: H04B10/11;G02F1/03
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 610064 四*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明提出一种铌酸锂晶体外调制驱动装置,当铌酸锂晶体两端加上电场后,折射率的变化正比于电场强度,从而使通过晶体的光通量产生相应的线性变化。由于铌酸锂晶体折射率线性变化需要的电压在100V到600V的范围,本发明通过在光路部分增加四分一波片,降低铌酸锂晶体的直流工作点,对经过编码的数字信号采用两级复合式放大,直接放大到高电平正150V低电平负150V,做到了频率响应范围宽,工作稳定可靠,抗干扰能力强。 
搜索关键词: 一种 铌酸锂 晶体 外调 驱动 装置
【主权项】:
一种铌酸锂晶体外调制驱动装置,其特征在于:基于铌酸锂晶体的电光调制特性,将经过编码的数字信号,首先进行单极性到双极性的转换,然后采用两级复合式放大电路直接放大到正负150V,该高压数字信号直接对铌酸锂晶体进行线性调制,通过改变铌酸锂晶体的折射率,从而改变铌酸锂晶体的光通量以进行无线光通信。
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