[发明专利]一种铌酸锂晶体外调制驱动装置有效
| 申请号： | 201410230905.8 | 申请日： | 2014-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN104038282A | 公开（公告）日： | 2014-09-10 |
| 发明（设计）人： | 李智;冯国英;张飞正 | 申请（专利权）人： | 四川大学 |
| 主分类号： | H04B10/11 | 分类号： | H04B10/11;G02F1/03 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610064 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提出一种铌酸锂晶体外调制驱动装置,当铌酸锂晶体两端加上电场后，折射率的变化正比于电场强度，从而使通过晶体的光通量产生相应的线性变化。由于铌酸锂晶体折射率线性变化需要的电压在100V到600V的范围，本发明通过在光路部分增加四分一波片，降低铌酸锂晶体的直流工作点，对经过编码的数字信号采用两级复合式放大，直接放大到高电平正150V低电平负150V，做到了频率响应范围宽，工作稳定可靠，抗干扰能力强。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 铌酸锂 晶体 外调 驱动 装置 | ||
【主权项】：
一种铌酸锂晶体外调制驱动装置，其特征在于：基于铌酸锂晶体的电光调制特性，将经过编码的数字信号，首先进行单极性到双极性的转换，然后采用两级复合式放大电路直接放大到正负150V，该高压数字信号直接对铌酸锂晶体进行线性调制，通过改变铌酸锂晶体的折射率，从而改变铌酸锂晶体的光通量以进行无线光通信。
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