[发明专利]一种密度可控钛纳米棒阵列的制备方法在审

专利信息
申请号: 201410229539.4 申请日: 2014-05-27
公开(公告)号: CN104032354A 公开(公告)日: 2014-09-10
发明(设计)人: 宁成云;钟梅玲;王迎军 申请(专利权)人: 华南理工大学
主分类号: C25D11/26 分类号: C25D11/26;B82Y40/00;B82Y30/00
代理公司: 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 代理人: 张燕玲
地址: 510640 广*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种密度可控钛纳米棒阵列的制备方法。所述方法包括以下步骤:将基体材料钛片依次经去离子水、无水乙醇和丙酮超声清洗,除去钛片表面的油污和附着物,然后用体积比为1:1~2:1的HF和HNO3混合液酸洗,用水冲洗干净后真空干燥;将处理后的钛片作为阳极,铜片作为阴极,控制两极间的距离;将氟化铵和草酸按比例配制成电解质溶液,然后在搅拌下,控制恒定电流为100~400mA,反应20~40min,得到所述密度可控钛纳米棒阵列。本发明采用阳极氧化恒流法,在钛片表面制备出密度可调控钛纳米棒阵列,且能够对纳米棒阵列生长密度实现大范围的调控,对钛纳米棒的生物学性能具有至关重要的科学和现实意义。
搜索关键词: 一种 密度 可控 纳米 阵列 制备 方法
【主权项】:
一种密度可控钛纳米棒阵列的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)对钛片进行预处理,以每400mL去离子水中溶解2~10g氟化铵和2~12g草酸配制成电解质溶液;(2)将步骤(1)预处理后的钛片作为阳极,铜片作为阴极,控制两极间的距离为30~50mm,加入步骤(1)配制的电解质溶液,在20~60℃以及搅拌的条件下,控制恒定电流为100~400mA,反应20~40min,得到所述密度可控钛纳米棒阵列。
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