[发明专利]用于使用聚焦离子束进行半导体器件的平面剥层的前体有效
| 申请号： | 201410227896.7 | 申请日： | 2014-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN104217912B | 公开（公告）日： | 2018-02-06 |
| 发明（设计）人： | C.鲁;C.D.钱德勒 | 申请（专利权）人： | FEI公司 |
| 主分类号： | H01J37/21 | 分类号： | H01J37/21;H01J37/317;H01L21/302 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 马红梅,陈岚 |
| 地址： | 美国俄*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种用于使用聚焦离子束系统改进半导体器件的平面剥层的方法和系统。该方法包括限定有待清除的目标区域，该目标区域包括半导体器件的铜和电介质混合层的至少一部分；将前驱气体向该目标区域引导；以及在存在该前驱气体的情况下，将聚焦离子束向该目标区域引导，由此将第一铜和电介质混合层的至少一部分清除并在被铣削的目标区域中产生一个均匀光滑的面。该前驱气体使得该聚焦离子束以与该电介质基本上相同的速率对该铜进行铣削。在优选实施例中，该前驱气体包括硝乙酸甲酯。在替代性实施例中，该前驱气体是乙酸甲酯、乙酸乙酯、硝乙酸乙酯、乙酸丙酯、硝乙酸丙酯、乙酸硝基乙酯、甲氧基乙酸甲酯、或甲氧基乙酰氯。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 使用 聚焦 离子束 进行 半导体器件 平面 | ||
【主权项】：
一种用于将一个或多个铜和电介质混合层从目标区域清除的方法，该方法包括：限定有待清除的目标区域，该目标区域包括半导体器件的铜和电介质混合层的至少一部分；将前驱气体向该目标区域引导，所述前驱气体包括从由以下各项构成的组中选择的化合物：包含短链烃和乙酸组的化合物，和包含短链烃和硝乙酸组的化合物；以及在存在该前驱气体的情况下，将聚焦离子束向该目标区域引导，由此将第一铜和电介质混合层的至少一部分清除并在所铣削的目标区域中产生一个均匀光滑的面；其中，该前驱气体使得该聚焦离子束以与该电介质基本上相同的速率对该铜进行铣削。
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