[发明专利]一种MOS栅控晶闸管的制造方法

摘要

本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种MOS栅控晶闸管的制造方法。本发明的方法的主要步骤为：制备衬底；进行正面P型杂质离子注入，在N型漂移区上层形成P型掺杂层，所述P型掺杂层的浓度为不均匀的；在N型漂移区上层进行栅氧热生长，栅氧层上进行多晶硅栅淀积；进行正面N型杂质离子注入，在P型掺杂层上层形成N型掺杂层，所述N型掺杂层的浓度为不均匀的；在N型掺杂层上层制作P⁺阴极接触区；在P型衬底背面制作阳极区。本发明的有益效果为，在不损害器件耐压及正向导通能力情况下，能提高器件的dV/dt抗性能力，并且本发明的实现方式能与现有工艺相兼容。本发明尤其适用于MOS栅控晶闸管的制造。

主权项

一种MOS栅控晶闸管的制造方法，其特征在于，包括以下步骤： a.制备衬底，具体为在P型衬底上层外延生长N型漂移区； b.进行正面P型杂质离子注入，在N型漂移区上层形成P型掺杂层，所述P型掺杂层的浓度为不均匀的，具体为P型掺杂层靠近MOS栅控晶闸管栅极沟道区一侧的浓度低于另一侧的浓度； c.在N型漂移区上层进行栅氧热生长，栅氧层上进行多晶硅栅淀积； d.进行正面N型杂质离子注入，在P型掺杂层上层形成N型掺杂层，所述N型掺杂层的浓度为不均匀的，具体为N型掺杂层靠近MOS栅控晶闸管栅极沟道区一侧的浓度低于另一侧的浓度； e.在N型掺杂层上层制作P⁺阴极接触区； f.在P型衬底背面制作阳极区。