[发明专利]碳纳米管银纳米线复合电流扩展层发光二极管及其制作方法

摘要

本发明公开了一种碳纳米管银纳米线复合电流扩展层发光二极管及其制作方法。所述电流扩展层由两种成分构成，一种是顺排碳纳米管，另一种是银纳米线。碳纳米管复合银纳米线电流扩展层发光二极管，包括依次纵向层叠的衬底、n型电流限制层、有源区、p型电流限制层和窗口层；还包括p电极和n电极；其特征在于窗口层之上铺设碳纳米管银纳米线复合电流扩展层。本发明的发光二极管可以使电流从电极向有源区扩散的更均匀，以提高光电转换效率。

主权项

碳纳米管银纳米线复合电流扩展层发光二极管，包括依次纵向层叠的衬底、n型电流限制层和窗口层；还包括p电极和n电极；其特征在于：窗口层上铺设碳纳米管银纳米线复合层；其中，银纳米线散落地布置在碳纳米管组成的薄膜表面上，从而使得所述银纳米线将载流子跨越式地输运到更远更广的范围；所述碳纳米管银纳米线复合电流扩展层发光二极管的制备方法如下：1)首先在衬底上通过金属有机化学气相沉积方法依次生长出n型电流限制层、有源区、p型电流限制层和窗口层；2)在窗口层上通过手工或者机器拉伸的方式铺设碳纳米管，所得碳纳米管层的厚度为100nm，透光率为85％；3)将银纳米线悬浮于乙醇中，质量分数为1mg/mL，悬涂覆盖在碳纳米管薄膜的表面后，使用匀胶台转速为3000rpm，使所述银纳米线均匀覆盖在所述碳纳米管薄膜的表面；4)然后在N2保护下加热至70℃使溶剂挥发，得到银纳米线复合碳纳米管电流扩展层，其中，碳纳米管复合银纳米线复合薄膜的方阻为80Ω/sq，透光率在85％；5)用光刻胶做掩膜，在所述窗口层上用光刻胶做出电极图形，然后磁控溅射或者蒸镀Ti/Au，厚度为15nm/300nm，最后放入丙酮中，去除电极之外的Ti/Au，得到P电极；6)减薄衬底；7)在所述衬底一侧通过磁控溅射或者蒸镀AuGeNi/Au，厚度为50nm/300nm，得到n电极；8)在N2保护下进行快速热退火处理，温度为460℃，时间为40s，以实现低的欧姆接触电阻；9)划片、压焊和封装后。