[发明专利]多级引线框架有效
| 申请号： | 201410225355.0 | 申请日： | 2014-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN104319269B | 公开（公告）日： | 2018-07-31 |
| 发明（设计）人： | L·H·M@E·李;Y·C·豪 | 申请（专利权）人： | 德克萨斯仪器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/495 | 分类号： | H01L23/495 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 赵蓉民 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种集成电路封装的多级引线框架300，其具有形成在第一级371中的多条引线330‑333，以及形成在第二级372中的键合焊盘310、312、321、323。第一组键合焊盘310、312被布置在第一行中，并且与相邻键合焊盘隔开一键合焊盘间隙距离345。第二组键合焊盘321、323被布置在邻近第一行键合焊盘的第二行中。第二行中的每个键合焊盘可以被连接到第一级上的多条导线中的一条，该条导线在第一行中的相邻键合焊盘之间布线。由于第一行中的键合焊盘在不同级上，则引线、键合焊盘可以在一起被紧密隔开。 | ||
| 搜索关键词： | 多级 引线 框架 | ||
【主权项】：
1.一种用于形成集成电路的多级引线框架的方法，所述方法包括：从第一侧蚀刻导电片以形成第一薄区域；从所述第一侧蚀刻所述导电片以形成第二薄区域，所述第一薄区域比所述第二薄区域更薄；以及从相对的第二侧蚀刻所述导电片，其中从相对的第二侧蚀刻所述导电片在多个键合焊盘中产生多条引线。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于德克萨斯仪器股份有限公司，未经德克萨斯仪器股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410225355.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
