[发明专利]β-SiC/Si2N2O复相结合SiC窑具及制备方法

摘要

β-SiC/Si₂N₂O复相结合SiC窑具及制备方法，属于耐火材料领域。原料组成为碳化硅、金属Si、多晶硅废料，外加上述原料总量2-6％的纸浆废液作为结合剂。生产时按配比称取各种原料，经混炼得到泥料，压制成型，在110±10℃下干燥24-48h，于1200-1500℃埋碳条件下烧成。该产品物理性能指标优良：显气孔率9-22％、体积密度2.3-2.9g/cm³、常温耐压强度60-200MPa、常温抗折强度20-75Mpa，有较好的抗氧化性和抗热震性。本发明以多晶硅废料为原料，采用埋碳烧结方式简化了生产工艺，不仅降低了SiC窑具的生产成本，也实现了多晶硅废料的回收利用，减少了资源浪费和环境污染。

主权项

一种β‑SiC/Si₂N₂O复相结合SiC窑具，其特征在于：按重量百分比计的原料组成为25‑55％粒径为3‑1mm的SiC颗粒，10‑25％粒径为1‑0.2mmSiC颗粒，5‑25％粒径≤0.088mmSiC细粉、0‑25％金属Si、5‑30％多晶硅废料，外加上述原料总量2‑6％的纸浆废液作为结合剂。