[发明专利]穿过衬底形成导电通孔的方法及由其产生的结构和组合件在审
| 申请号: | 201410222653.4 | 申请日: | 2008-05-02 |
| 公开(公告)号: | CN103985641A | 公开(公告)日: | 2014-08-13 |
| 发明(设计)人: | 里克凯·C·莱克 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
| 主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L23/48 |
| 代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 沈锦华 |
| 地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 美国;US |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 本发明涉及穿过衬底形成导电通孔的方法及由其产生的结构和组合件。本发明提供在衬底上及衬底中形成导电元件的方法,所述方法包含:在所述衬底的表面上方形成导电材料层,此后穿过所述衬底形成从所述衬底的相对的表面到所述导电材料层的多个通孔,在一些实施例中,在形成所述通孔之前,可在所述导电材料层的与所述衬底相对的侧上将临时载体固定到所述导电材料层。还揭示包含使用此类方法形成的工件的结构。 | ||
| 搜索关键词: | 穿过 衬底 形成 导电 方法 产生 结构 组合 | ||
【主权项】:
一种用于在衬底上及衬底中形成导电元件的方法,所述方法包括:从衬底的第一主表面移除材料以使所述衬底变薄;用第一导电材料覆盖所述衬底的所述第一主表面;在所述衬底的第二主表面上方形成另一导电材料层并图案化所述另一导电材料层以形成多个导电垫;随后,穿过所述多个导电垫中的导电垫且穿过所述衬底形成从所述第二主表面到覆盖所述第一主表面的所述第一导电材料的多个通孔中的至少一个通孔;形成所述多个通孔中的每一通孔以包括底表面,所述底表面包括所述第一导电材料的一部分;及在所述多个通孔中的每一通孔内提供导电材料且在每一通孔内的所述导电材料与所述第一导电材料之间建立电接触以形成延伸穿过所述衬底的多个导电通孔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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