[发明专利]一种微米铜图形控制硅纳米线精确定位生长的方法

摘要

本发明提供一种微米铜图形控制硅纳米线精确定位生长的方法，所述方法包括步骤首先，提供一基板，包括硅基体和位于所述硅基体上的顶绝缘层；然后，在所述顶绝缘层表面制作微米铜图形阵列；最后，进行退火处理，所述微米铜图形阵列在退火过程中被消耗，同时控制生长的硅纳米线穿过所述顶绝缘层并精确定位在所述微米铜图形阵列的位置。本发明通过微电子加工技术在硅基体支撑的氧化硅绝缘层上制作微米铜图形阵列，再在氩气和氢气氛围中退火处理，在微米铜图形阵列处精确定位生长出硅纳米线。该方法工艺简单、效率高且结构体积小，与CMOS工艺的兼容使其有较好的扩展性，在微电子领域、生物检测领域和太阳能电池领域有着较广的使用前景。

主权项

一种微米铜图形控制硅纳米线定位生长的方法，其特征在于，所述方法至少包括步骤：1)提供一基板，所述基板包括硅基体和位于所述硅基体上的顶绝缘层；2)在所述顶绝缘层表面制作微米铜图形阵列；3)进行退火处理，所述微米铜图形阵列在退火过程中被消耗，同时控制生长的硅纳米线穿过所述顶绝缘层并定位在所述微米铜图形阵列的位置。