[发明专利]引线框架结构的形成方法有效
申请号: | 201410220590.9 | 申请日: | 2014-05-22 |
公开(公告)号: | CN103972111B | 公开(公告)日: | 2017-05-24 |
发明(设计)人: | 石磊;陶玉娟 | 申请(专利权)人: | 通富微电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人: | 应战,骆苏华 |
地址: | 226006 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 一种引线框架结构的形成方法,包括形成塑封层,塑封层具有若干承载区、以及位于承载区之间的切割区,承载区内具有若干贯穿塑封层的第一开口,塑封层具有第一表面、以及与第一表面相对的第二表面;在塑封层的第一表面形成绝缘层,绝缘层内具有暴露出第一开口的第二开口,第二开口的尺寸大于第一开口的尺寸,第二开口还暴露出位于承载区内的第一开口周围的部分塑封层表面;在第一开口和第二开口内填充满导电材料,在第一开口和第二开口内形成引脚结构,绝缘层暴露出引脚结构的第一表面,塑封层暴露出引脚结构的第二表面。形成引线框架的工艺简化、成本降低,所形成的结构形貌和电连接性能改善。 | ||
搜索关键词: | 引线 框架结构 形成 方法 | ||
【主权项】:
一种引线框架结构的形成方法,其特征在于,包括:形成塑封层,所述塑封层具有若干承载区、以及位于承载区之间的切割区,所述承载区内具有若干贯穿所述塑封层的第一开口,所述塑封层具有第一表面、以及与第一表面相对的第二表面;所述塑封层的形成工艺包括:提供具有空腔的模具,所述空腔的形貌结构与所需形成的塑封层的形貌结构相同;向模具内的空腔注入塑封材料,直至所述空腔被填充满,形成塑封层;在形成塑封层之后,去除所述模具;在所述塑封层的第一表面形成绝缘层,所述绝缘层内具有暴露出第一开口的第二开口,所述第二开口的尺寸大于第一开口的尺寸,所述第二开口还暴露出位于承载区内的第一开口周围的部分塑封层表面;在所述第一开口和第二开口内填充满导电材料,在所述第一开口和第二开口内形成引脚结构,所述绝缘层暴露出引脚结构的第一表面,所述塑封层暴露出引脚结构的第二表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造