[发明专利]基于拓扑绝缘体的被动调Q光纤激光器

摘要

基于拓扑绝缘体的被动调Q光纤激光器，涉及光纤激光器。设有泵浦源、波分复用器、掺铒光纤、耦合器、隔离器、偏振控制器和Bi₂Se₃纳米片可饱和吸收体；所述波分复用器、掺铒光纤、耦合器、隔离器、偏振控制器和Bi₂Se₃纳米片可饱和吸收体构成环形腔，泵浦源连接波分复用器的泵浦源输入端；波分复用器公共端连接掺铒光纤一端，掺铒光纤另一端连接耦合器，耦合器一端作为脉冲激光输出端，耦合器另一端连接隔离器输入端，隔离器输出端连接偏振控制器，偏振控制器与Bi₂Se₃纳米片可饱和吸收体相连，Bi₂Se₃纳米片可饱和吸收体作为激光被动调Q装置，Bi₂Se₃纳米片可饱和吸收体与波分复用器连接。

主权项

基于拓扑绝缘体的被动调Q光纤激光器，其特征在于设有泵浦源、波分复用器、掺铒光纤、耦合器、隔离器、偏振控制器和Bi₂Se₃纳米片可饱和吸收体；所述波分复用器、掺铒光纤、耦合器、隔离器、偏振控制器和Bi₂Se₃纳米片可饱和吸收体构成环形腔，所述泵浦源连接波分复用器的泵浦源输入端；波分复用器的公共端连接掺铒光纤的一端，掺铒光纤的另一端连接耦合器，耦合器的一端作为脉冲激光输出端，耦合器的另一端连接隔离器输入端，隔离器保证环形腔内激光单向运行，隔离器输出端连接偏振控制器，偏振控制器用于调节环形腔内激光偏振，偏振控制器与Bi₂Se₃纳米片可饱和吸收体相连，Bi₂Se₃纳米片可饱和吸收体作为激光被动调Q装置，Bi₂Se₃纳米片可饱和吸收体与波分复用器连接。