[发明专利]通过在HKHfO之前沉积Ti覆盖层改善RRAM的数据保持有效
| 申请号： | 201410206669.6 | 申请日： | 2014-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN104766925B | 公开（公告）日： | 2018-04-20 |
| 发明（设计）人： | 廖钰文;朱文定;翁烔城 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种阻变式随机存取存储器(RRAM)器件结构，其中，在沉积HK HfO电阻转换层之前沉积Ti金属覆盖层。这里，覆盖层位于HK HfO层的下方，从而不会在RRAM顶电极蚀刻期间造成损伤。覆盖层的外侧壁与HfO层的侧壁基本对齐，从而在将来的蚀刻步骤中可能发生的任何损伤将会发生在远离HK HfO层中的氧空位细丝(导电细丝)的覆盖层的外侧壁处。因此，本发明中的这种结构改善了数据保持。本发明公开了通过在HK HfO之前沉积Ti覆盖层改善RRAM的数据保持。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 hk hfo 之前 沉积 ti 覆盖层 改善 rram 数据 保持 | ||
【主权项】：
一种阻变式随机存取存储器(RRAM)器件，包括：可变电阻介电层，具有上表面和下表面；阴极，设置在所述可变电阻介电层的上方并且与所述上表面邻接；金属覆盖层，设置在所述可变电阻介电层的下方并且与所述下表面邻接；以及阳极，设置在所述金属覆盖层的下方，并且所述阳极在垂直方向上位于所述金属覆盖层和半导体基底区域之间，其中，所述可变电阻介电层、所述金属覆盖层以及所述阳极的外侧壁相互对齐，一对侧壁间隔件，横向设置在所述阴极的外侧壁周围，所述阴极具有在其外侧壁之间测得的第一宽度；其中，所述可变电阻介电层和所述金属覆盖层都具有在它们各自的外侧壁之间测得的第二宽度，所述第二宽度大于所述第一宽度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410206669.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
