[发明专利]高压器件的仿真模型和高压器件仿真模型的建模方法

摘要

本发明提供一种高压器件的仿真模型和高压器件仿真模型的建模方法。仿真模型包括核心晶体管；漏端电阻，漏端电阻的第一端电连接到核心晶体管的漏极并且漏端电阻的第二端用作高压器件的漏极；源端电阻，源端电阻的第一端电连接到核心晶体管的源极并且源端电阻的第二端用作高压器件的源极。漏端电阻的电阻值关系式是RD＝(RD0/W)*(1+CRD*VDERDD+1/(1+PRWDD*VDERDD))*TFAC_RD，TFAC_RD＝(1+TCRD1*(TEMP‑25)+TCRD2*(TEMP‑25)*(TEMP‑25))。仿真模型采用改进的电阻值关系式来修正外接电阻的电阻值，提高了高压器件模型的仿真精度。

主权项

一种高压器件的仿真模型结构，包括：核心晶体管；漏端电阻，所述漏端电阻的第一端电连接到所述核心晶体管的漏极并且所述漏端电阻的第二端用作所述高压器件的漏极；源端电阻，所述源端电阻的第一端电连接到所述核心晶体管的源极并且所述源端电阻的第二端用作所述高压器件的源极；至少一个漏端二极管，所述至少一个漏端二极管中的每一个串联在所述漏端电阻的第二端和所述核心晶体管的体电极之间；以及至少一个源端二极管，所述至少一个源端二极管中的每一个串联在所述源端电阻的第二端和所述核心晶体管的体电极之间，其中，所述漏端电阻的电阻值与加在所述漏端电阻上的电压、温度和所述高压器件的宽度之间的关系是：RD＝(RD0/W)*(1+CRD*VDERDD+1/(1+PRWDD*VDERDD))*TFAC_RD，TFAC_RD＝(1+TCRD1*(TEMP‑25)+TCRD2*(TEMP‑25)*(TEMP‑25))；所述源端电阻的电阻值与加在所述源端电阻上的电压、温度和所述高压器件的宽度之间的关系是：RS＝(RS0/W)*(1+CRS*VSERSS+1/(1+PRWSS*VSERSS))*TFAC_RS，TFAC_RS＝(1+TCRS1*(TEMP‑25)+TCRS2*(TEMP‑25)*(TEMP‑25))，VD是加在所述漏端电阻上的电压的绝对值，RD0是电压为零时所述漏端电阻的电阻值，CRD是所述漏端电阻的第一电压系数，ERDD是所述漏端电阻的电压的幂指数项系数，PRWDD是所述漏端电阻的第二电压系数，TCRD1是所述漏端电阻的一次项温度系数，TCRD2是所述漏端电阻的二次项温度系数，VS是加在所述源端电阻上的电压的绝对值，RS0是电压为零时所述源端电阻的电阻值，CRS是所述源端电阻的第一电压系数，ERSS是所述源端电阻的电压的幂指数项系数，PRWSS是所述源端电阻的第二电压系数，TCRS1是所述源端电阻的一次项温度系数，TCRS2是所述源端电阻的二次项温度系数，TEMP是系统温度，W是所述高压器件的沟道宽度；所述核心晶体管的内置二极管关闭。