[发明专利]图像传感器及其形成方法

摘要

一种图像传感器及其形成方法。其中，所述图像传感器包括像素阵列，所述像素阵列包括阵列排布的多个像素单元，每个所述像素单元包括半导体衬底；光电二极管，位于所述半导体衬底中；浮置扩散区，位于所述半导体衬底中；转移晶体管，包括位于所述半导体衬底中的源极和漏极，所述源极和所述漏极分别与所述光电转换元件和所述浮置扩散区电连接；源跟随晶体管，包括位于所述半导体衬底上的栅极，所述栅极与所述浮置扩散区电连接；所述源跟随晶体管的沟道区区域呈横梁结构，所述横梁结构具有顶面和两个侧面，所述源跟随晶体管的栅极覆盖所述顶面和两个侧面的至少其中一面。所述图像传感器性能提高，成本降低。

主权项

一种图像传感器，其特征在于，包括多个像素单元，每个所述像素单元包括：半导体衬底；光电二极管，位于所述半导体衬底中，用于接收光线以产生信号电荷；浮置扩散区，位于所述半导体衬底中，用于收集所述信号电荷以产生信号电位；转移晶体管，包括位于所述半导体衬底中的源极和漏极，所述源极与所述光电转换元件电连接，所述漏极与所述浮置扩散区电连接，所述转移晶体管用于控制所述信号电荷转移到所述浮置扩散区；复位晶体管，包括位于所述半导体衬底中的漏极，所述漏极与所述浮置扩散区电连接，所述复位晶体管用于复位所述浮置扩散区的电位；源跟随晶体管，包括位于所述半导体衬底上的栅极，所述栅极与所述浮置扩散区电连接，所述源跟随晶体管用于放大所述信号电位；所述源跟随晶体管的沟道区区域呈横梁结构，所述横梁结构具有顶面和两个侧面，所述源跟随晶体管的栅极覆盖所述顶面和两个侧面的至少其中一面；所述源跟随晶体管为埋沟器件，所述源跟随晶体管的沟道区区域具有沟道掺杂区和非沟道掺杂区，所述非沟道掺杂区位于所述沟道掺杂区与所述源跟随晶体管的栅极之间。