[发明专利]一种基于双光束聚合引发以及抑制的高分辨成像光刻方法

摘要

本发明提供一种基于双光束聚合引发以及抑制的高分辨成像光刻方法，主要步骤为：(1)选择或配置一种光刻胶，其含有对不同波长激光响应的聚合引发剂和聚合抑制剂；(2)选择对应的聚合引发激光器和聚合抑制激光器；(3)制作两个掩模版，其掩模图形形状和尺寸均相同或相似；(4)掩模版1和掩模版2在聚合抑制和聚合引发激光的作用下，通过二向色镜和透镜合束成像在同一个平面内，所成的像在空间上部分交叠；(5)将含有聚合引发剂，聚合抑制剂的光刻胶样品放置在成像平面上进行曝光及显影，得到高分辨的成像光刻图形。本发明具有光刻分辨率高，加工效率高等优点，在超越衍射极限的高效率，低成本纳米加工技术领域具有很大的应用前景。

主权项

一种基于双光束聚合引发以及抑制的高分辨成像光刻方法，其特征包括以下步骤：步骤(1)、选择或配置一种合适的光刻胶，光刻胶中需含有聚合引发剂和聚合抑制剂，且聚合引发剂和聚合抑制剂起作用的激发激光波长不同；步骤(2)、选择合适的聚合引发激光光源，其对应波长能够使光刻胶中的聚合引发剂起作用，从而使得光刻胶聚合；步骤(3)、选择合适的聚合抑制激光光源，其对应波长能够使光刻胶中的聚合抑制剂起作用，从而抑制光刻胶的聚合；步骤(4)、用准直透镜L1和准直透镜L2分别对聚合引发激光器和聚合抑制激光器的出光光束进行准直；步骤(5)、制作两个金属掩模版，掩模版1(M1)和掩模版2(M2)，其掩模图形形状和尺寸相同或相似；步骤(6)、聚合引发激光光路和聚合抑制激光光路通过二向色镜(DM)进行合束，掩模版1和掩模版2的图形通过透镜成像在同一个成像平面内，且所成的像在空间上部分交叠；步骤(7)、将含有聚合引发剂，聚合抑制剂的光刻胶样品(S)放置在成像平面上进行曝光，曝光完成后，对样品进行显影，得到高分辨的成像光刻图形。