[发明专利]实时快速检测晶片基底二维形貌的方法

摘要

本发明公开了一种实时快速检测晶片基底二维形貌的方法。该方法包括以下步骤令N束激光沿晶片基底径向即X方向入射到晶片基底后又分别反射到与入射光一一对应的PSD上，形成N个光斑；根据N个光斑的位置信号，计算晶片基底上任意两个入射点之间在待测基底沿X方向的曲率CX；根据N个光斑的位置信号，计算晶片基底上任意一个入射点在待测基底移动方向即Y方向的曲率CY；其中，N为3以上的自然数；根据各CX、CY的计算结果，得到基底的二维形貌。该方法包括该方法能够与高速旋转的石墨盘上的蓝宝石基底相适应。

主权项

实时快速检测晶片基底二维形貌的方法，其特征在于，包括以下步骤：令N束激光沿晶片基底径向即X方向入射到晶片基底后又分别反射到与所述入射光一一对应的PSD上，形成N个光斑，根据所述N个光斑的位置信号，计算晶片基底上任意两个入射点之间在待测基底沿X方向的曲率CX，根据所述N个光斑的位置信号，计算晶片基底上任意一个入射点在待测基底移动方向即Y方向的曲率CY，其中，N为3以上的自然数，根据各所述CX、CY的计算结果，得到基底的二维形貌；所述CX的计算公式为：CX=(x21-x20)2·dAB·y20-(x11-x10)2·dAB·y10]]>其中，x10，激光射到平面反射面后又反射到第一PSD上形成的光斑的横坐标，x20，激光射到平面反射面后又反射到第二PSD上形成的光斑的横坐标，x11，光线射到晶片基底后又反射到第一PSD上形成的光斑的横坐标，x21，光线射到晶片基底后又反射到第二PSD上形成的光斑的横坐标，y10，第一PSD到晶片基底的距离，y20，第二PSD到晶片基底的距离，dAB＝x20‑x10；所述CY的计算公式为：CY=15fπ·kRPM·α]]>其中，α，校准系数，k，各所述光斑的纵坐标随时间变化按线性拟合的斜率，f，各所述PSD的采样频率，RPM，承载晶片基底的石墨盘每分钟转数。