[发明专利]自生长石墨烯电极发光二极管及其制备方法有效
| 申请号： | 201410187487.9 | 申请日： | 2014-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN103996777B | 公开（公告）日： | 2017-01-04 |
| 发明（设计）人： | 杨连乔;冯伟;顾文;张建华 | 申请（专利权）人： | 上海大学 |
| 主分类号： | H01L33/40 | 分类号： | H01L33/40;H01L33/42 |
| 代理公司： | 上海上大专利事务所(普通合伙)31205 | 代理人： | 陆聪明 |
| 地址： | 200444*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种自生长石墨烯电极发光二极管及其制备方法，依次由衬底层、第一半导体层、有源层、第二半导体层、金属插入层和石墨烯电极层结合形成，通过金属插入层作为CVD法制备石墨烯电极的催化剂，实现石墨烯的自生长，使金属插入层和石墨烯电极层的石墨烯材料形成石墨烯复合电极。本发明方法采用石墨烯薄膜与金属插入层形成复合电极，并置于依次由衬底、导体层、有源层和半导体层形成体系之上，组成完整的器件结构。本发明采用金属插入层作为催化剂，实现CVD法石墨烯电极的自生长，借助于金属插入层与半导体及石墨烯间的良好接触特性提高器件的界面特性，并通过金属插入层改善石墨烯与半导体间的电荷注入，优化器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 生长 石墨 电极 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种自生长石墨烯电极发光二极管，依次由衬底层（1）、第一半导体层（2）、有源层（3）、第二半导体层（4）、金属插入层（5）、石墨烯电极层（6）、金属焊盘（7）组成，其特征在于，所述金属插入层（5）与第二半导体层（4）直接接触并固定结合，所述石墨烯电极层（6）设置于所述金属插入层（5）的表面，所述金属插入层（5）的材料和所述石墨烯电极层（6）的石墨烯电极材料相互结合形成复合电极。
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