[发明专利]一种硅纳米线的制备方法

摘要

本发明提供一种硅纳米线的制备方法，包括步骤首先提供硅衬底，刻蚀形成多个沟槽，沟槽与沟槽之间的硅衬底定义为鳍结构；然后沉积第一氧化硅层和氮化硅层，之后采用化学机械抛光工艺去除鳍结构顶部的氮化硅层，并刻蚀沟槽中的部分氮化硅层使其表面形成圆弧形；接着沉积第二氧化硅层，并刻蚀使所述第二氧化硅层的表面呈现圆弧形；再外延硅；之后刻蚀所述鳍结构至与所述第一氧化硅层等高，同时刻蚀所述硅，形成圆柱形的硅纳米线；最后去除氮化硅层使所述硅纳米线悬空。本发明提供的硅纳米线的制备方法制备的硅纳米线可以控制为圆柱形。该制备方法与常规的MOS工艺兼容，简单、方便、周期短，在半导体器件领域有良好的应用前景。

主权项

一种硅纳米线的制备方法，其特征在于，所述硅纳米线的制备方法至少包括步骤：1)提供硅衬底，刻蚀所述硅衬底形成多个沟槽，所述沟槽与沟槽之间的硅衬底定义为鳍结构；2)在所述硅衬底表面自下而上依次沉积第一氧化硅层和氮化硅层，之后采用化学机械抛光工艺去除鳍结构顶部的氮化硅层，并采用刻蚀工艺刻蚀沟槽中的部分氮化硅层使其表面形成圆弧形；3)在所述氮化硅层表面的沟槽中沉积第二氧化硅层，并刻蚀所述第二氧化硅层至一定厚度，使所述第二氧化硅层的表面形成圆弧形；4)在所述第二氧化硅层表面外延硅，直至外延的所述硅的表面与鳍结构表面齐平；5)刻蚀所述鳍结构至与所述第一氧化硅层等高，同时刻蚀所述硅，形成圆柱形的硅纳米线；6)去除所述硅纳米线底部的氮化硅层，使所述硅纳米线悬空。