[发明专利]显示装置

摘要

本发明名称为“显示装置”。像素部以及驱动像素部的驱动电路形成在同一衬底上。驱动电路的至少一部分的电路使用反交错型薄膜晶体管而形成，在该反交错型薄膜晶体管中使用氧化物半导体，且在重叠于栅电极层的成为沟道形成区的氧化物半导体层上设置有沟道保护层。通过在同一衬底上除了像素部以外还设置驱动电路，可以减少制造成本。

主权项

一种显示装置，包括像素部和驱动电路，其中，所述像素部包括第一晶体管，所述第一晶体管包括第一栅电极、第一氧化物半导体层、以及与所述第一氧化物半导体层接触地设置于其上的第一沟道保护层，所述第一氧化物半导体层与所述第一栅电极重叠，以及其中，所述驱动电路包括：第二晶体管，所述第二晶体管包括第二栅电极、在所述第二栅电极上的栅绝缘层、在所述栅绝缘层上的第二氧化物半导体层、以及与所述第二氧化物半导体层接触地设置于其上的第二沟道保护层，所述第二氧化物半导体层与所述第二栅电极重叠；第三晶体管，所述第三晶体管包括第三栅电极、在所述第三栅电极上的栅绝缘层、第三氧化物半导体层、以及与所述第三氧化物半导体层接触地设置于其上的第三沟道保护层，所述第三氧化物半导体层与所述第三栅电极重叠；第一导电层，所述第一导电层包括在所述第三氧化物半导体层上并且与其电接触的第一部分和在所述第二氧化物半导体层上并且与其电接触的第二部分；以及第二导电层，所述第二导电层与所述第二氧化物半导体层和所述第二栅电极电接触，其中，所述第二导电层通过所述栅绝缘层的接触孔与所述第二栅电极直接接触，在所述第二晶体管的沟道长度方向上，所述第二氧化物半导体层的宽度小于所述第二栅电极的宽度，其中，所述第二栅电极包括在所述第二晶体管的所述沟道长度方向上延伸超过所述第二氧化物半导体层的端部的区域，以及其中，所述接触孔与所述区域重叠。