[发明专利]原子层沉积装置和原子层沉积方法有效
| 申请号： | 201410183662.7 | 申请日： | 2014-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN104141117B | 公开（公告）日： | 2018-01-19 |
| 发明（设计）人： | 长井博之;桑山哲朗 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | C23C16/455 | 分类号： | C23C16/455 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司11240 | 代理人： | 余刚,吴孟秋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及原子层沉积装置和原子层沉积方法。原子层沉积装置包括可密封的沉积室；保持部，被配置为在沉积室中保持包括沉积表面的基板；供应机构，包括连接至供应气体的气体供应源的导入部，并且被配置为将导入导入部的气体从与沉积表面相对的位置处供应至沉积室；以及排出机构，包括连接至能够排出气体的排出机构的排出部，并且被配置为从与沉积表面相对的位置处给沉积室排气。 | ||
| 搜索关键词： | 原子 沉积 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种原子层沉积装置，包括：能够密封的沉积室；保持部，被配置为在所述沉积室中保持包括沉积表面的基板；供应机构，包括连接至供应气体的气体供应源的导入部，并且被配置为将引入到所述导入部的气体从与所述沉积表面相对的位置处供应至所述沉积室；排出机构，包括连接至能够排出气体的排出机构的排出部，并且被配置为从与所述沉积表面相对的位置处给所述沉积室排气；以及旁路通道，连接所述排出机构和所述导入部。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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