[发明专利]用于旋转基板的非径向温度控制系统有效
申请号: | 201410183428.4 | 申请日: | 2009-05-01 |
公开(公告)号: | CN104064499B | 公开(公告)日: | 2018-04-20 |
发明(设计)人: | 沃尔夫冈·R·阿得厚德;亚伦·亨特;约瑟夫·R·拉尼什 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/683 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司11006 | 代理人: | 徐金国,赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明的实施例提供了降低热处理期间不均匀性的设备与方法。一个实施例提供了种处理基板的设备,包括腔室主体,其限定处理容积;基板支撑件,其置于该处理容积中,其中该基板支撑件被配置以旋转该基板;传感器组件,其被配置以测量该基板在多个位置处的温度;以及一个或更多个脉冲加热组件,其被配置以对该处理容积提供脉冲式能量。 | ||
搜索关键词: | 用于 旋转 径向 温度 控制系统 | ||
【主权项】:
一种用于处理基板的方法,所述方法包括以下步骤:放置基板在边缘环上,所述边缘环被置于处理腔室的处理容积中;旋转所述基板和所述边缘环;通过将辐射能量从第一加热源导向所述基板来加热所述基板;通过将脉冲式能量从第二加热源导向所述边缘环来加热所述边缘环,其中所述第二加热源包括布置在多个脉冲加热区中的多个脉冲能量源,其中所述多个脉冲加热区被设置在所述处理腔室外部;测量所述边缘环和所述基板的至少一者的温度;和根据测量的温度来调整所述第二加热源的频率、相位与振幅中至少一者,其中测量所述温度包括以高于所述基板旋转的频率数倍的频率对用于所述基板或所述边缘环的传感器取样。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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