[发明专利]一种高精度电流检测电路及应用该电路的限流装置有效
| 申请号： | 201410182909.3 | 申请日： | 2014-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN103969494B | 公开（公告）日： | 2017-07-28 |
| 发明（设计）人： | 余凯;刘炽锋;李思臻;章国豪;冯卫锋;郑卫国 | 申请（专利权）人： | 广州钧衡微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | G01R19/00 | 分类号： | G01R19/00;H02M1/32 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司44205 | 代理人： | 谭英强 |
| 地址： | 510006 广东省广州市番禺区小谷围街外环西*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高精度电流检测电路及应用该电路的限流装置，本发明一种高精度电流检测电路包括待测器件、放大器和负载，能有效提高精度和大大提升响应速度，本发明一种功率放大器的限流装置和一种开关电源的限流装置，能有效实现过流保护功能，而且本发明结构简单，能有效节省元件成本，实现方式简单，方便设计人员灵活应用。本发明一种高精度电流检测电路及应用该电路的限流装置可广泛应用于电流检测产品中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高精度 电流 检测 电路 应用 限流 装置 | ||
【主权项】：
一种高精度电流检测电路，其特征在于：包括待测器件、放大器和负载，所述放大器包括第一电阻(R1)、第二电阻(R2)、第三电阻(R3)、第一PMOS管(MP1)、第二PMOS管(MP2)、第三PMOS管(MP3)、第一NMOS管(MN1)、第二NMOS管(MN2)、第三NMOS管(MN3)和第一偏置电流源(IB1)，所述放大器的同相输入端通过待测器件与放大器的反相输入端连接，所述放大器的反相输入端通过负载与地连接，所述放大器的同相输入端接入电源电压，所述放大器的反相输入端通过第一电阻(R1)与第一PMOS管(MP1)的源极连接，所述第一PMOS管(MP1)的栅极分别与第二PMOS管(MP2)的栅极和第二PMOS管(MP2)的漏极连接，所述放大器的同相输入端通过第二电阻(R2)与第二PMOS管(MP2)的源极连接，所述第二PMOS管(MP2)的源极与第三PMOS管(MP3)的源极连接，所述第一PMOS管(MP1)的漏极分别与第二NMOS管(MN2)的漏极和第三PMOS管(MP3)的栅极连接，所述第三PMOS管(MP3)的漏极通过第三电阻(R3)与地连接，所述第二PMOS管(MP2)的漏极与第三NMOS管(MN3)的漏极连接，所述第一偏置电流源(IB1)的输出端分别与第一NMOS管(MN1)的漏极、第一NMOS管(MN1)的栅极、第二NMOS管(MN2)的栅极和第三NMOS管(MN3)的栅极连接，所述第一NMOS管(MN1)的源极、第二NMOS管(MN2)的源极和第三NMOS管(MN3)的源极均与地连接，所述第三PMOS管(MP3)的漏极连接至放大器的输出端。
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