[发明专利]可伸缩分裂栅存储器单元阵列有效
申请号: | 201410182736.5 | 申请日: | 2014-04-30 |
公开(公告)号: | CN104134670B | 公开(公告)日: | 2018-11-30 |
发明(设计)人: | 简·A·耶特;洪庄敏;康承泰;罗纳德·J·希兹德克 | 申请(专利权)人: | 恩智浦美国有限公司 |
主分类号: | H01L27/11524 | 分类号: | H01L27/11524;H01L27/1157 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 陈依虹;刘光明 |
地址: | 美国得*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及可伸缩分裂栅存储器单元阵列。分裂栅存储器阵列包括具有存储器单元(与12、14、18、20交叉的24、32、42)的第一行(24);具有存储器单元(与12、14、18、20交叉的26、34、44)的第二行(26),其中所述第二行与所述第一行相邻;以及多个段。每个段(32、34、36;40、42、44)包括:所述第一行的第一多个存储器单元(与12、14交叉);所述第二行的第二多个存储器单元;形成了所述第一多个存储器单元的每个存储器单元的控制栅的第一控制栅部分(32);以及形成了所述第二多个存储器单元的每个存储器单元的控制栅的第二控制栅部分(34)。所述第一控制栅部分和所述第二控制栅部分会聚(36)到在所述多个段的相邻段之间的单一控制栅部分(38)。 | ||
搜索关键词: | 伸缩 分裂 存储器 单元 阵列 | ||
【主权项】:
1.一种具有多个行的分裂栅存储器阵列,包括:分裂栅存储器单元的第一段,包括:沿着所述第一段的第一行的第一多个分裂栅存储器单元;沿着所述第一段的第二行的第二多个分裂栅存储器单元,其中所述第二行与所述第一行相邻;第一控制栅导体,所述第一控制栅导体形成了所述第一多个分裂栅存储器单元中的每个的控制栅;第二控制栅导体,所述第二控制栅导体形成了所述第二多个分裂栅存储器单元中的每个的控制栅;以及行带导体,所述行带导体被物理地连接在所述第一控制栅导体和所述第二控制栅导体之间;分裂栅存储器单元的第二段,包括:沿着所述第二段的第一行的第一多个分裂栅存储器单元;沿着所述第二段的第二行的第二多个分裂栅存储器单元,其中所述第二段的所述第二行与所述第二段的所述第一行相邻;第一控制栅导体,所述第一控制栅导体形成了所述第二段的所述第一多个分裂栅存储器单元中的每个的控制栅;第二控制栅导体,所述第二控制栅导体形成了所述第二段的所述第二多个分裂栅存储器单元中的每个的控制栅;以及行带导体,所述行带导体被物理地连接在所述第一控制栅导体和所述第二控制栅导体之间;段带导体,所述段带导体被物理地连接在所述第一段的所述行带导体和所述第二段的所述行带导体之间;以及第一选择栅导体,所述第一选择栅导体形成了所述第一段的所述第一多个分裂栅存储器单元中的每个的选择栅和所述第二段的所述第一多个分裂栅存储器单元中的每个的选择栅;以及第二选择栅导体,所述第二选择栅导体形成了所述第一段的所述第二多个分裂栅存储器单元中的每个的选择栅和所述第二段的所述第二多个分裂栅存储器单元中的每个的选择栅;其中所述段带导体位于所述第一选择栅导体和所述第二选择栅导体之间。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于恩智浦美国有限公司,未经恩智浦美国有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410182736.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的