[发明专利]可伸缩分裂栅存储器单元阵列有效

专利信息
申请号: 201410182736.5 申请日: 2014-04-30
公开(公告)号: CN104134670B 公开(公告)日: 2018-11-30
发明(设计)人: 简·A·耶特;洪庄敏;康承泰;罗纳德·J·希兹德克 申请(专利权)人: 恩智浦美国有限公司
主分类号: H01L27/11524 分类号: H01L27/11524;H01L27/1157
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人: 陈依虹;刘光明
地址: 美国得*** 国省代码: 美国;US
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及可伸缩分裂栅存储器单元阵列。分裂栅存储器阵列包括具有存储器单元(与12、14、18、20交叉的24、32、42)的第一行(24);具有存储器单元(与12、14、18、20交叉的26、34、44)的第二行(26),其中所述第二行与所述第一行相邻;以及多个段。每个段(32、34、36;40、42、44)包括:所述第一行的第一多个存储器单元(与12、14交叉);所述第二行的第二多个存储器单元;形成了所述第一多个存储器单元的每个存储器单元的控制栅的第一控制栅部分(32);以及形成了所述第二多个存储器单元的每个存储器单元的控制栅的第二控制栅部分(34)。所述第一控制栅部分和所述第二控制栅部分会聚(36)到在所述多个段的相邻段之间的单一控制栅部分(38)。
搜索关键词: 伸缩 分裂 存储器 单元 阵列
【主权项】:
1.一种具有多个行的分裂栅存储器阵列,包括:分裂栅存储器单元的第一段,包括:沿着所述第一段的第一行的第一多个分裂栅存储器单元;沿着所述第一段的第二行的第二多个分裂栅存储器单元,其中所述第二行与所述第一行相邻;第一控制栅导体,所述第一控制栅导体形成了所述第一多个分裂栅存储器单元中的每个的控制栅;第二控制栅导体,所述第二控制栅导体形成了所述第二多个分裂栅存储器单元中的每个的控制栅;以及行带导体,所述行带导体被物理地连接在所述第一控制栅导体和所述第二控制栅导体之间;分裂栅存储器单元的第二段,包括:沿着所述第二段的第一行的第一多个分裂栅存储器单元;沿着所述第二段的第二行的第二多个分裂栅存储器单元,其中所述第二段的所述第二行与所述第二段的所述第一行相邻;第一控制栅导体,所述第一控制栅导体形成了所述第二段的所述第一多个分裂栅存储器单元中的每个的控制栅;第二控制栅导体,所述第二控制栅导体形成了所述第二段的所述第二多个分裂栅存储器单元中的每个的控制栅;以及行带导体,所述行带导体被物理地连接在所述第一控制栅导体和所述第二控制栅导体之间;段带导体,所述段带导体被物理地连接在所述第一段的所述行带导体和所述第二段的所述行带导体之间;以及第一选择栅导体,所述第一选择栅导体形成了所述第一段的所述第一多个分裂栅存储器单元中的每个的选择栅和所述第二段的所述第一多个分裂栅存储器单元中的每个的选择栅;以及第二选择栅导体,所述第二选择栅导体形成了所述第一段的所述第二多个分裂栅存储器单元中的每个的选择栅和所述第二段的所述第二多个分裂栅存储器单元中的每个的选择栅;其中所述段带导体位于所述第一选择栅导体和所述第二选择栅导体之间。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于恩智浦美国有限公司,未经恩智浦美国有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410182736.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top